ege探测器-锜晟工业用品批发商-福建ege

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半导体如锗和硅晶体的能带结构，类似于绝缘体，导带中没有电子而价带是满带，但其间的禁带宽度较小，如硅约1.1ev，锗约0.7ev。常温下，由于热运动，少量在价带顶部的能量大的电子就可能越过禁带而升迁到导带中去成为“自由电子”，这些电子可以通过电子导电形成电流。

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热敏电阻的电阻－温度特性可近似地用下式表示：r=r0exp{b（1/t-1/t0)}：r：温度t(k）时的电阻值、ro：温度t0、（k）时的电阻值、b:b值、*t(k)=t(oc)+27---。实际上，热敏电阻的b值并非是恒定的，其变化大小因材料构成而异，大甚至可达5k/°c。