高分子ptc热敏电阻由于电阻可恢复,ege传感器,因而可以重复多次使用。热敏电阻动作后,ege过程传感器,恢复过程中电阻随时间变化。电阻一般在十几秒到几十秒中即可恢复到初始值1.6倍左右的水平,此时热敏电阻的维持电流已经恢复到额定值,可以再次使用了。面积和厚度较小的热敏电阻恢复相对较快;而面积和厚度较大的热敏电阻恢复相对较慢。
导带中的电子会落入空穴,使电子-空穴对消失,称为复合(recombination)。复合时产生的能量以电磁辐射(发射光子photon)或晶格热振动(发射声子phonon)的形式释放。在一定温度下,电子-空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡,此时本征半导体具有一定的载流子浓度,从而具有一定的电导率。加热或光照会使半导体发生热激发或光激发,ege探测器,从而产生更多的电子-空穴对,这时载流子浓度增加,电导率增加。半导体热敏电阻和光敏电阻等半导体器件就是根据此原理制成的。常温下本征半导体的电导率较小,载流子浓度对温度变化敏感,所以很难对半导体特性进行控制,因此实际应用不多。
热敏电阻的电阻-温度特性可近似地用下式表示:r=r0exp{b(1/t-1/t0)}:r:温度t(k)时的电阻值、ro:温度t0、(k)时的电阻值、b:b值、*t(k)=t(oc)+27---。实际上,热敏电阻的b值并非是恒定的,其变化大小因材料构成而异,大甚至可达5k/°c。
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