半导体如锗和硅晶体的能带结构,类似于绝缘体,导带中没有电子而价带是满带,但其间的禁带宽度较小,如硅约1.1ev,锗约0.7ev。常温下,由于热运动,少量在价带顶部的能量大的电子就可能越过禁带而升迁到导带中去成为“自由电子”,这些电子可以通过电子导电形成电流。
一个呈电中性的原子,其正电质子和负电电子的数量是相等的。当少了一个负电的电子,那里就会呈现出一个正电性的空位——空穴;反之,当有一个电子进来掉进了空穴,就会发出电磁波——光子。空穴不是正电子,电子与正电子相遇湮灭时,所发出来的光子是非常高能的(即所谓的猝灭现象)。那是两粒子的所完全转化出来的电磁波能(通常会转出一对光子)。而电子掉入空穴所发出来的光子,其能量通常只有几个电子伏特。
极低频电磁场(高压线、、电气化铁路、电焊、电动缝纫等极低频电磁场的预防建议)who国际研究机构(iarc)及who专题工作组经评估认为极低频(>;0hz-100khz)磁场与儿童及脑癌有关,当工频(50/60hz)磁场暴露强度超过0.3μt或0.4μt时儿童的患病风险增加2倍,据who统计显示约1%~4%的儿童长期暴露于强度大于0.3μt的工频磁场环境。虽然人群流行病学资料及实验室研究资料尚不能证明工频磁场与儿童存在因果关系,who在其新出版
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