若电子和空穴的浓度分别为n、p,迁移率分别为μn、μp,则半导体的电导为:σ=q(nμn+pμp)。因为n、p、μn、μp都是依赖温度t的函数,所以电导是温度的函数,因此可由测量电导而推算出温度的高低,ege过程传感器,并能做出电阻-温度特性曲线,这就是半导体热敏电阻的工作原理。
电磁辐射的形式为在真空中或物质中的自传播波。任何一种交流电路都会向周围空间辐射电磁能量,形成有电力和磁力作用的空间,这种电力和磁力同时存在的空间定义为电磁场。若某一空间区域有变化的电场或变化的磁场,则在附近的区域内将产生相应变化的磁场或电场,龙岩ege,而这个新产生的变化磁场或电场,又使较远的区域产生变化的电场或变化的磁场,变化的电场与变化的磁场交替产生,又由近及远以定的速度在空间传播,形成电磁波,电磁场能量以电磁波的形式向外发射的过程即形成电磁辐射。 [7]
ctr热敏电阻/临界温度热敏电阻构成材料是钒、钡、---、磷等元素氧化物的混合烧结体,是半玻璃状的半导体,也称ctr为玻璃态热敏电阻。骤变温度随添加锗、钨、钼等的氧化物而变,这是由于不同杂质的掺入,使氧化钒的晶格间隔不同造成的。
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