导带中的电子会落入空穴，使电子－空穴对消失，称为复合（recombination）。复合时产生的能量以电磁辐射（发射光子photon）或晶格热振动(发射声子phonon)的形式释放。在一定温度下，电子－空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时本征半导体具有一定的载流子浓度，从而具有一定的电导率。加热或光照会使半导体发生热激发或光激发，从而产生更多的电子－空穴对，这时载流子浓度增加，电导率增加。半导体热敏电阻和光敏电阻等半导体器件就是根据此原理制成的。常温下本征半导体的电导率较小，载流子浓度对温度变化敏感，所以很难对半导体特性进行控制，因此实际应用不多。
bt=ct2+dt+e，上式中，c、d、e为常数。另外，因生产条件不同造成的b值的波动会引起常数e发生变化，但常数c、d不变。因此，在探讨b值的波动量时，莆田ege，只需考虑常数e即可。常数c、d、e的计算，常数c、d、e可由4点的（温度、电阻值）数据（t0，r0).(t1，r1）.(t2，r2）and(t3，r3），通过式3～6计算。首先由式样3根据t0和t1，t2，ege探测器，t3的电阻值求出b1，b2，b3，然后代入以下各式样。
必须存在时变源。时变源可以是时变的电荷源、时变的电流源或时变的电磁场，时变源的频率应足够高，才有可能产生明显的辐射效应。 [7] 源路必须开放。波源电路必须开放，源电路的结构方式对辐射强弱有---的影响，封闭的电路结构，如谐振腔是不会产生电磁辐射的。 [7]
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